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    音频数模转换器 [20位单片音频数模转换器PCM63P]

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    20位单片音频数模转换器PCM63P

    20位单片音频数模转换器PCM63P 关键词:FCM63P;
    数模转换器;
    音频 1 概述 PCM63P是BB公司采用独特双DAC共线结构生产的超低失真2 0位精密DAC芯片。该结构可消除有害的数模感应干扰误差和其它双极性零点 附近的非线性,因此,PCM63P的噪声非常低  最大SNR为116dB  同时具有16倍的过采样率和快速建立时间电流输出  2mA阶跃时为200 ns  。下面是PCM63P的主要特点:
    ●是一种共线的20位音频DAC;

    ●可近于理想地在低电平工作;

    ●输出无数模感应干扰;

    ●可快速(200ns)电流输出(±2ms);

    ●带有工业标准的串行输入接口;

    ●超低失真,最大-96dB(无外部调整);

    ●带有基准源;

    ●最小SNR为116dB(按加权方式计算);

    ●具有16倍过采样能力。

    2 结构功能 图1所示是PCM63P数模转换芯片的内部结构框图。图2则给出了其 引脚排列,各管脚的功能说明如下:
    CAP(1脚):伺服放大器去耦电容接入端;

    +VA(2脚):+5V模拟电源;
    CAP(3脚):基准去耦电容接入端;

    CAP(4脚):失调去耦电容端;

    BPO(5脚):双极性偏置电流输出端口,典型偏置电流输出为+2m A;

    IOUT(6脚):DAC电流输出;

    ACOM(7脚):模拟公共端;

    RF1(9脚):
    反馈接入端;

    RF2(10脚):
    该脚与9脚之间在芯片内部接有1.5kΩ反馈电 阻以用于外部反馈;

    -VD(11脚):-5V数字电源;

    DCOM(12脚):数字公共端;

    +VD(13脚):+5V数字电源;

    CLK(18脚):DAC数据时钟输入;

    LE(20脚):DAC数据锁存允许;

    DATA(21脚):DAC数据输出;

    UB2 Adj(23脚):选择高DAC位2调整(-4.29V);

    LB2 Adj(24脚):选择低DAC位2调整(-4.29V);

    VPOT(25脚):
    位调整基准电压抽头(-3.25V);

    -VA(28脚):-5V模拟电源;

    NC(其它):空脚。

    3 工作原理3.1 双DAC共线结构 PCM63P采用的是新型设计。它把传统DAC的优点(良好的满量程 性能、高信噪比和使用方便)和优秀的低电平性能结合起来。其内部的两个DA C以互补的方式组合起来,可以产生良好的线性输出。这两个DAC共享基准源 和R——2R阶梯网络,从而保证了在所有条件下的完全跟踪。它们通过交换D AC的个别位和激光校准的精密电阻来使DAC之间达到高精度匹配。

    PCM63P采用的这种新的互补线性结构也称双DAC共线结构,该结构 可在两个方向上以小的阶跃离开零点,从而避免了任何误操作或“大”的线性误差, 同时可提供一个绝对值电流输出。PCM63P的低电平性能确保了它的20位 精度,尤其是在临界的双极性零点附近。

    3.2 动态指标 PCM63P的一个重要动态指标就是总谐波失真+噪声(THD+N)  PCM63P以8倍44.1kHz的标准音频采样频率读入数字数据,从而 实现991Hz的正弦波输出。其音频转换的动态范围可看作是相对于0dB的 -60dB有效输出信号电平下的THD+N的测量值。在-90dB输出电平 上,PCM63P对理想信号的偏差一般少于±0.3dB。这些性能体现了P CM63P共线DAC电路在低噪声和双极零点附近接近理想的性能。

    4 PCM63P的应用 4.1 数字输入 PCM63P能够接收与TTL兼容的逻辑电平。在输入线上,采用差动 电流模式的逻辑输入结构改善了PCM63P的抗噪声干扰能力。PCM63P 的数据形式采用的是二进制补码形式,是最高有效位在前的串行数据流。位串中 的任何数字都可以在20位数据前加载,因为在LE(寄存器使能信号)变低后, 只有在它之前的最后20位数据才能转移到并行DAC寄存器中。

    在PCM63P芯片中,DAC的串行数据输入位都在时钟CLK的上升沿 触发,DAC的串行到并行数据的转换是在使能信号LE的下降沿进行的。其转 换时序图如图3所示。PCM63P的典型时钟速率为16.9MHz。4.2 电源与滤波电容 采用内部反馈电阻的PCM63P应用电路连接图见图4所示,它采用电 压输出模式。如果不用反馈电阻,PCM63P的9、10脚应当悬空。PCM 63P采用±5V电源,两个正电源应接于同一点,负电源亦应如此。同时应在 每个电源引脚处加去耦电容,以使电源干扰抑制最大。两个公共点都应连到模拟 电平面并应尽可能靠近芯片。

    实际上,图4电路对去耦电容并没有特别的要求,对偏置去耦电容的大小 要求也不严格,但采用较大值的电容会有更好的SNR性能。另外,电路中的所 有电容都应尽可能接近芯片引脚以减小从周围电路中感应到的噪声。

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